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半导体结构的处理方法及形成方法.pdfVIP

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  • 2023-04-21 发布于四川
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半导体结构的处理方法及形成方法.pdf

    本发明实施例提供一种半导体结构的处理方法及形成方法，半导体结构的处理方法，包括：提供半导体基底，半导体基底上设置有特征部，特征部的深宽比大于预设深宽比，特征部顶部设置有掩膜层；对半导体结构进行灰化处理，半导体结构包括半导体基底、特征部以及掩膜层；对半导体结构进行清洗处理；对半导体结构进行干燥处理；去除掩膜层；其中，在干燥处理过程中，至少相邻的一组掩膜层中一掩膜层向相邻掩膜层的方向倾斜，且在干燥处理之后，倾斜的掩膜层与相邻掩膜层的间距小于在干燥处理之前二者的间距。有效的改善了高深宽比结构倾斜的问题

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113889405 A (43)申请公布日 2022.01.04 (21)申请号 202010634483.6 (22)申请日 2020.07.02 (71)申请人 长鑫存储技术有限公司

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