原创力文档- 2
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- 2023-04-21 发布于四川
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本发明涉及一种磁性斯格明子写入装置及其形成方法，包括：磁性薄膜；写入单元，用于向所述磁性薄膜写入磁性斯格明子；应力提供装置，用于为所述磁性薄膜提供压应力或张应力。根据磁性薄膜的磁致伸缩系数的正或者负，会在薄膜中的产生沿张力方向或垂直张力方向的磁化易轴，进而降低薄膜中磁性斯格明子的成核的能量阈值。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113889566 A
(43)申请公布日 2022.01.04
(21)申请号 202010630619.6 G11C 11/16 (2006.01)
(22)申请日 2
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