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- 2023-04-21 发布于四川
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本发明公开一种碳化硅晶圆加工工艺，包括以下步骤：S1、将碳化硅基板永久键合在硅载板上；S2、完成碳化硅基板的减薄及除高温制程外的其他晶圆正面制程；S3、将碳化硅基板转移到石墨托盘上，解除碳化硅基板与硅载板的永久键合，移除硅载板；S4、利用石墨托盘承载碳化硅基板进行高温制程；S5、碳化硅基板背面键合玻璃载板，移除石墨托盘；S6、碳化硅基板正面键合玻璃载板，解键合移除背面玻璃载板；S7、完成碳化硅基板背面晶圆制程；S8、将碳化硅基板转移到切割模框上，解键合移除正面玻璃载板，完成晶圆的切割。本发明利用
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113903656 A
(43)申请公布日 2022.01.07
(21)申请号 202111162163.6
(22)申请日 2021.09.30
(71)申请人 浙江同芯祺科技有限公司
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