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- 2023-04-21 发布于四川
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本发明属于碳化硅技术领域，具体涉及一种电子封装用碳化硅粉体的制备方法，以活性氧化铝为基底，通过吸附沉积与气相沉积，得到碳化硅基氧化铝，经去基底处理，得到碳化硅粉体。本发明解决了现有工艺的问题，采用的原料简单易得，有利于降低成本，同时步骤简单，可操作性强，且制备的碳化硅粒径小，且粒径分布均匀，杂质量少。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 113896201 B
(45)授权公告日 2022.07.19
(21)申请号 202111267610.4 CN 1834308 A,2006.09.20
(22)申请
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