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- 2023-04-21 发布于北京
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本发明公开了一种基于阵列条的增强型开关晶体管及其制作方法，主要解决现有氮化镓基增强型开关晶体管存在电流崩塌问题，其自下而上包括：衬底(1)、过渡层(2)、势垒层(3)，势垒层(3)上从左到右依次设有源极(6)、P‑GaN栅(4)、调制电极(5)、漏极(7)，P‑GaN栅(4)上部淀积有栅金属(8)；调制电极(5)由下部的阵列条(51)与上部的条金属(52)构成，该阵列条(51)由m个等间距且平行排列的隔离条组成，每个隔离条的厚度均小于或等于P‑GaN栅(4)的厚度；该条金属(52)与漏极(7)电
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113903802 A
(43)申请公布日 2022.01.07
(21)申请号 202111150830.9
(22)申请日 2021.09.29
(71)申请人 西安电子科技大学
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