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半导体装置和半导体装置的制造方法.pdfVIP

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  • 2023-04-21 发布于四川
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半导体装置和半导体装置的制造方法.pdf

    提供一种半导体装置，其具备：半导体基板，其具有上表面和下表面，且包含氧；氢化学浓度的第一峰，其配置在半导体基板的下表面侧；以及平坦部，其配置于比第一峰更靠半导体基板的上表面侧的位置，并包含氢施主，且在半导体基板的深度方向上的施主浓度分布实质上(大致)为平坦，表示氧的氧化学浓度中有助于生成氢施主的氧化学浓度的比例的氧贡献率为1×10‑5以上且7×10‑4以下，在平坦部中，有助于生成氢施主的氧的浓度低于氢化学浓度，平坦部的氢施主浓度为2×1012/cm3以上且5×1014/cm3以下。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113892184 A (43)申请公布日 2022.01.04 (21)申请号 202080038918.9 内田美佐稀　根本道生　菅沼奈央　

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