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- 2023-04-21 发布于四川
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本发明涉及一种集成芯片。该集成芯片包括半导体器件，沿着半导体衬底的第一侧布置。半导体衬底包括从半导体衬底的第一侧延伸至相对的半导体衬底的第二侧的一个或者多个侧壁。介电衬垫衬在半导体衬底的一个或者多个侧壁上。贯穿衬底通孔(TSV)布置在一个或者多个侧壁之间，并且通过介电衬垫与半导体衬底分隔开。TSV具有在距第二侧第一距离处的第一宽度，和在距第二侧第二距离处的第二宽度。第一宽度小于第二宽度，并且第一距离小于第二距离。本申请的实施例提供了集成芯片及其形成方法。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113889457 A
(43)申请公布日 2022.01.04
(21)申请号 202110736326.0 H01L 27/146 (2006.01)
(22)申请日
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