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- 2023-04-21 发布于四川
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本申请涉及包括存储器单元串的存储器阵列以及用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法。一种用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法包括形成堆叠，所述堆叠包括竖直交替的第一层和第二层。沟道材料串在所述竖直交替的第一层和第二层中的个别沟道开口中。导体材料接触件处于所述个别沟道开口中，直接抵靠所述沟道材料串中的个别沟道材料串的所述沟道材料。所述导体材料接触件竖直凹入所述个别沟道开口中。导电通孔直接抵靠所述个别沟道开口中的竖直凹入的所述导体材料接触件形成于所述个别沟道开口中。公开其它方面，包含与方法无
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113889482 A
(43)申请公布日 2022.01.04
(21)申请号 202110741088.2
(22)申请日 2021.07.01
(30)优先权数据
16/918,12
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