一种栅控型的界面型纳流体忆阻器及其制备方法.pdfVIP

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2023-04-22 发布于北京
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一种栅控型的界面型纳流体忆阻器及其制备方法.pdf

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本发明涉及一种界面型纳流体忆阻器，包括：衬底；纳米沟道，设置在所述衬底顶部；金属层，覆盖所述纳米沟道的底部和侧壁并且覆盖位于所述纳米沟道一侧或两侧的衬底表面；以及二氧化硅层，覆盖所述金属层的部分表面。本发明的界面型纳流体忆阻器采用金属层作为栅控电极，可有效防止漏电流对其他器件的影响，且由该忆阻器形成的忆阻器阵列的加工工艺相比现有技术非常简单。此外，本发明的界面型纳流体忆阻器作为一种纳流体神经突触器件，既可实现兴奋型纳流体神经突触器件的功能，又可实现抑制型纳流体神经突触器件功能。另外，本发明还涉及

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113948636 A (43)申请公布日 2022.01.18 (21)申请号 202111064414.7 (22)申请日 2021.09.10 (71)申请人北京大学地址 10