EEPROM与Flash区别分析和总结.docxVIP

EEPROM,EPROM,FLASH 都是基于一种浮栅管单元(Floating gate transister)的结构。EPROM 的浮栅处于绝缘的二氧化硅层中，充入的电子只能用紫外线的能量来激出，EEPROM 的单元是由 FLOTOX(Floating- gate tuneling oxide transister)及一个附加的 Transister 组成，由于 FLOTOX 的特性及两管结构，所以可以单元读/写。技术上，FLASH 是结合 EPROM 和 EEPROM 技术达到的，很多 FLASH 使用雪崩热电子注入方式来编程，擦除和 EEPROM 一样用Fowler-Nordheim tuneling。但主要的不同是，FLASH 对芯片提供大块或整块的擦除，这就降低了设计的复杂性，它可以不要 EEPROM 单元里那个多余的 Tansister，所以可以做到高集成度，大容量，另 FLASH 的浮栅工艺上也不同，写入速度更快。 其实对于用户来说，EEPROM 和 FLASH 的最主要的区别就是 1。EEPROM 可以按“位”擦写，而 FLASH 只能一大片一大片的擦。 2。EEPROM 一般容量都不大，如果大的话，EEPROM 相对与 FLASH 就没有价格上的优势了。市面上卖的 stand alone 的 EERPOM 一般都是在 64KBIT 以下，而 FLASH 一般都是 8MEG BIT 以上（NOR 型）。 3。读的速度的话，应该不是两者的差别，只是 EERPOM 一般用于低端产品，读的速度不需要那么快，真要做的话，其实也是可以做的和 FLASH 差不多。 4。因为 EEPROM 的存储单元是两个管子而 FLASH 是一个（SST 的除外，类似于两管）， 所以 CYCLING 的话，EEPROM 比 FLASH 要好一些，到 1000K 次也没有问题的。 总的来说，对与用户来说，EEPROM 和 FLASH 没有大的区别，只是 EEPROM 是低端产品， 容量低，价格便宜，但是稳定性较 FLASH 要好一些。 但对于 EEPROM 和 FLASH 的设计来说，FLASH 则要难的多，不论是从工艺上的还是从外围电路设计上来说。 Flash memory 指的是“闪存”，所谓“闪存”，它也是一种非易失性的内存，属于 EEPROM 的改进产品。它的最大特点是必须按块(Block)擦除(每个区块的大小不定，不同厂家的产品有不同的规格)， 而 EEPROM 则可以一次只擦除一个字节(Byte)。目前“闪存”被广泛用在PC 机的主板上，用来保存 BIOS 程序，便于进行程序的升级。其另外一大应用领域是用来作为硬盘的替代品，具有抗震、速度快、无噪声、耗电低的优点，但是将其用来取代 RAM 就显得不合适，因为 RAM 需要能够按字节改写，而 Flash ROM 做不到。 ROM 和RAM 指的都是半导体存储器，ROM 是Read Only Memory 的缩写，RAM 是Random Access Memory 的缩写。ROM 在系统停止供电的时候仍然可以保持数据，而 RAM 通常都是在掉电之后就丢失数据，典型的 RAM 就是计算机的内存。 RAM 有两大类，一种称为静态 RAM(Static RAM/SRAM)，SRAM 速度非常快，是目前读写最快的存储设备了，但是它也非常昂贵，所以只在要求很苛刻的地方使用，譬如 CPU 的一级缓冲，二级缓冲。另一种称为动态 RAM(Dynamic RAM/DRAM)，DRAM 保留数据的时间很短，速度也比 SRAM 慢，不过它还是比任何的 ROM 都要快，但从价格上来说 DRAM 相比 SRAM 要便宜很多， 计算机内存就是 DRAM 的。 DRAM 分为很多种，常见的主要有 FPRAM/FastPage、EDORAM、SDRAM、DDR RAM、RDRAM、SGRAM 以及 WRAM 等，这里介绍其中的一种 DDR RAM。DDR RAM(Date-Rate RAM)也称作 DDR SDRAM， 这种改进型的 RAM 和 SDRAM 是基本一样的，不同之处在于它可以在一个时钟读写两次数据， 这样就使得数据传输速度加倍了。这是目前电脑中用得最多的内存，而且它有着成本优势， 事实上击败了 Intel 的另外一种内存标准-Rambus DRAM。在很多高端的显卡上，也配备了高速 DDR RAM 来提高带宽，这可以大幅度提高 3D 加速卡的像素渲染能力。 ROM 也有很多种，PROM 是可编程的 ROM，PROM 和 EPROM(可擦除可编程 ROM)两者区别是， PROM 是一次性的，也就是软件灌入后，就无法修改了，这种是早期的产品，现在已经不可能使用了，而 EPROM 是通过紫外光的照射擦出原先