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本发明提出了一种晶圆切割方法,包括:S100,在晶圆的第一表面完成金属元件制备后,制备聚亚酰胺网格,聚亚酰胺网格的镂空区域对应为切割道位置;S200,对准切割道在晶圆的第一表面制备第一沟槽;S300,在晶圆的第一表面贴附研磨胶带,对晶圆的第二表面进行减薄处理,并完成第二表面的元件制备工艺;S400,以第一沟槽为参考,在晶圆的第二表面对应位置制备第二沟槽;S500,在晶圆的第二表面制备金属镀层;S600,以第二沟槽为参考,沿第二沟槽制备第三沟槽,且使第三沟槽与第一沟槽连通,以切断晶圆。通过在晶圆的
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113948460 A
(43)申请公布日 2022.01.18
(21)申请号 202111125517.X
(22)申请日 2021.09.24
(71)申请人 浙江同芯祺科技有限公司
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