二极管和三极管14660.pptxVIP

二极管和三极管14660第1页/共64页第2页/共64页14.1 半导体的导电特性半导体：导电能力介乎于导体和绝缘体之 间的 物质。半导体特性：热敏特性、光敏特性、掺杂特性第3页/共64页 本征半导体就是完全纯净的半导体。 应用最多的本征半导体为锗和硅，它们各有四个价电子，都是四价元素.硅的原子结构第4页/共64页价电子SiSi共价键SiSi14.1.1 本征半导体 本征半导体晶体结构中的共价健结构 纯净的半导体其所有的原子基本上整齐排列，形成晶体结构，所以半导体也称为晶体 ——晶体管名称的由来第5页/共64页空穴SiSiSiSi自由电子14.1.1 本征半导体自由电子与空穴 共价键中的电子在获得一定能量后，即可挣脱原子核的束缚，成为自由电子同时在共价键中留下一个空穴。第6页/共64页空穴SiSiSiSi自由电子14.1.1 本征半导体热激发与复合现象 由于受热或光照产生自由电子和空穴的现象----- 热激发 自由电子在运动中遇到空穴后，两者同时消失，称为复合现象第7页/共64页空穴SiSiSiSi价电子14.1.1 本征半导体半导体导电方式载流子自由电子和空穴 当半导体两端加上外电压时，自由电子作定向运动形成电子电流；而空穴的运动相当于正电荷的运动温度对半导体器件性能的影响很大。第8页/共64页SiSi多余电子P+Si14.1.2 N型半导体和P型半导体N型半导体在硅或锗的晶体中掺入微量的磷（或其它五价元素）。 电子型半导体或N型半导体自由电子是多数载流子，空穴是少数载流子。第9页/共64页SiSi空穴B-Si14.1.2 N型半导体和P型半导体P型半导体 在硅或锗晶体中掺入硼（或其它三价元素）。 空穴是多数载流子，自由电子是少数载流子。 空穴型半导体或P型半导体。第10页/共64页14.1.2 N型半导体和P型半导体 不论N型半导体还是P型半导体，虽然它们都有一种载流子占多数，但是整个晶体仍然是不带电的。返回第11页/共64页PN空穴自由电子 14.2 PN结14.2.1 PN结的形成第12页/共64页 空间电荷区PN内电场方向空穴自由电子14.2.1 PN结的形成PN结是由扩散运动形成的第13页/共64页14.2.1 PN结的形成扩散运动和漂移运动的动态平衡内电场增强扩散强漂移运动增强PN结宽度基本稳定两者平衡扩散强PN结导通外加电压平衡破坏漂移强PN结截止第14页/共64页 (1) PN结加正向电压时的导电情况 PN结加正向电压时的导电情况如图所示。 外加的正向电压有一部分降落在PN结区，方向与PN结内电场方向相反，削弱了内电场。于是,内电场对多子扩散运动的阻碍减弱，扩散电流加大。扩散电流远大于漂移电流，可忽略漂移电流的影响，形成较大的扩散电流，PN结呈现低阻性。第15页/共64页变窄PNI内电场 方向R外电场方向–+14.2.2 PN结的单向导电性1 外加正向电压使PN结导通PN结呈现低阻导通状态，通过PN结的电流基本是多子的扩散电流——正向电流第16页/共64页 (2) PN结加反向电压时的导电情况 PN结加反向电压时的导电情况如图所示。 外加的反向电压有一部分降落在PN结区，方向与PN结内电场方向相同，加强了内电场。内电场对多子扩散运动的阻碍增强，扩散电流大大减小。此时PN结区的少子在内电场的作用下形成的漂移电流大于扩散电流，可忽略扩散电流，形成较小的漂移电流，PN结呈现高阻性。 在一定的温度条件下，由本征激发决定的少子浓度是一定的，故少子形成的漂移电流是恒定的，基本上与所加反向电压的大小无关，这个电流也称为反向饱和电流。 第17页/共64页15.2.2 PN结的单向导电性 变 宽PNI=0内电场 方向R外电场方向 -+2 外加反向电压使PN结截止 PN结呈现高阻状态，通过PN结的电流是少子的漂移电流 ----反向电流特点: 受温度影响大原因: 反向电流是靠热激发产生的少子形成的第18页/共64页14.2.2 PN结的单向导电性结 论 PN结具有单向导电性 （1） PN结加正向电压时，处在导通状态，结电阻很低，正向电流较大。（2）PN结加反向电压时，处在截止状态，结电阻很高，反向电流很小。返回第19页/共64页外壳触丝N型锗片引线阳极引线铝合金小球PN结点接触型N型硅金锑合金面接触型表示符号底座阴极引线14.3 半导体二极管14.3.1 基本结构14.3.2 伏安特性14.3.3 伏安特性的折线化14.3.4 二极管的主要参数第20页/共64页半导体二极管图片第21页/共64页半导体二极管图片第22页/共64页半导体二极管图片第23页/共64页半导体二极管图片第24页/共64页I/mA80正向6040死区电压20-50 -25O 0.4 0.8 U