电力电子应用技术第十讲驱动与保护.pptVIP

IGBT(MOSFET)驱动技术 第三十页，共三十九页。 IGBT动态性能与门极驱动电路设计有关的问题： 主器件的开关损耗 二极管恢复的影响（开关损耗、电压瞬变、电路噪声） 直流环节电感与电压瞬变 短路保护电路 关断状态的dv/dt保护 IGBT(MOSFET)驱动技术 第三十一页，共三十九页。 半导体器件保护技术 功率半导体器件损坏的主要原因： 过压 过流 过热 超结构应力 第三十二页，共三十九页。 过压保护 （1）防止驱动电压过压造成门极损坏 避免门极与漏极间的阻抗太高，这样可能由于干扰或者dv/dt引起门极击穿而损坏器件。 适当降低门极阻抗，在门极与漏极间并接15-20V的稳压管。 存储和使用过程中避免门极开路。 半导体器件保护技术 第三十三页，共三十九页。 防止静电击穿 对于绝缘栅极器件，很容易发生静电击穿。在使用和存储时要格外注意保护。 用静电包装袋存储 接入电路前工作台要良好接地 测试时，测量仪器良好接地 防止偶然性振荡损坏器件 半导体器件保护技术 第三十四页，共三十九页。 （2）防止主电路过压造成门极损坏 首先保证器件的容量符合所设计的系统，在有效成本控制的情况下，留出足够的电压余量。 要注意器件关断时产生的di/dt导致的尖峰电压，可以采取稳压管箝位、加缓冲电路等方法抑制。 半导体器件保护技术 第三十五页，共三十九页。 2.过流保护 负载的突然变化会产生很高的冲击电流，必须通过电流传感器检测或者饱和压降检测来确定过流的范围并且实现保护。 传感器检测是对于系统来说的保护，防止因为过流损坏器件后又损坏其他的设备。 饱和压降检测才是能够对器件起到保护的检测方法。 半导体器件保护技术 第三十六页，共三十九页。 3.过热保护 由于半导体器件工作性能受节温的影响非常大，必须保证器件的工作温度不超过允许节温。 器件的工作损耗会导致温度升高，环境的温度也能引起节温变化，器件在工作时必须保证很好的散热。 半导体器件保护技术 第三十七页，共三十九页。 总结 功率半导体器件的开关性能由驱动电路特性和外部直流环节电感决定 。 功率器件应用中要考虑开关损耗、二极管恢复、瞬态开关电压、短路电路工作过程和dv/dt感应电流的影响 好的驱动电路能够让器件发挥更多的能量，设计驱动电路要考虑驱动和保护两方面的性能。 第三十八页，共三十九页。 内容总结 第10讲 功率半导体器件驱动与保护技术。第10讲 功率半导体器件驱动与保护技术。按照控制信号到功率器件门控极的连接方式分为直接驱动和隔离驱动。驱动电路功率要求较低，频率要求较高。开关管开通瞬时, 提供足够大电流使MOSFET栅源极电压迅速上升,保证开关管快速开通且不存在上升沿高频振荡。IXDD404 相同两路。2. 2SD315、SKHI22AH4。3. 6SD312、 SKHI61。Ciss=Cgs+CgdCrss=CgdCoss=Cgd+Cds。CIN ≈ 3---5? CISS。IG ≈ ?V / RG。4、设计IGBT驱动电压为+15V，考虑驱动电路 第三十九页，共三十九页。 * 本章主要介绍驱动电路的工作原理与应用技术，首先是介绍驱动电路的作用与意义，其次分两部分介绍具体的驱动电路设计应用原理，一类是用的较少的器件，如成熟经典的不控器件SCR和现阶段大功率器件IGCT，一类是较多应用的全控型器件IGBT和MOSFET。最后讲述器件应用中的保护问题。 一般弱电控制强电都需要实现电气隔离，包括电磁隔离，光电隔离； 驱动电路要提供满足开关器件导通关断工作状态的能量，保证加在器件上的驱动能量； 驱动电路可以检测器件是否工作正常，可以在发生过压、过流、短路等状态时及时保护器件不损坏； 发生故障，及时反馈给控制系统； 小型化，轻量化，不占用主电路，主器件额外的布局空间；作为控制信号作用于主电路的通路，要保证可靠； 商用的驱动电路（芯片和模块）生产商有很多，国际上生产功率半导体器件的厂家都有配套的驱动电路提供，国内一些公司也有相应产品的开发。比如INFINION、ABB和ALSTOM就有专门配套适合自身用的IGBT驱动电路，国内一些小的公司也开发了可以替代国际上用的较多的著名第三方公司的IGBT驱动模块。总的来说，CONCEPT、FUJITEC、MITSUBISH、SEMIKRON占据了IGBT驱动电路应用的主要提供商地位。电力电子领域功率器件的应用很大部分都是基于以上几家提供的驱动芯片或者驱动技术。 * 接线连接，嵌入连接，插拔连接 IGCT集成门极换向晶闸管。对于晶闸管类器件，驱动器件开通需要提供一定的门极电流；对于晶体管类器件，驱动器件开通关断主要处决于施加在门极的电压。对于驱动电路，能否提供或承受足够大的门极电流，是区别两类器件