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一种用于半导体光刻胶的清洗方法.pdfVIP

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  • 2023-04-23 发布于北京
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一种用于半导体光刻胶的清洗方法.pdf

    本发明公开了一种用于半导体光刻胶的清洗方法，第一步：拆卸机台涂胶部件，在光刻胶周边区域铺上防渗漏高分子材料；第二步：将光刻胶剥离液倒入防渗漏材料圈起范围内以浸润光刻胶，软化表面；第三步：将表面软化的光刻胶去除；第四步：继续软化胶体；第五步：再次将软化的下层光刻胶去除；第六步：使用十六烷基二甲基苄基铵溶液将最底层的光刻胶浸泡擦除；第七步：使用超纯水去除残留化学品；第八步：使用高纯氮气吹扫整个热板部件。本发明主要解决热板上的残留光刻胶的清洗，可将涂胶部件从设备机台拆卸下来，针对涂胶部件上热板区域局部

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113970880 A (43)申请公布日 2022.01.25 (21)申请号 202111391021.7 (22)申请日 2021.11.23 (71)申请人 江苏凯威特斯半导体科技有限公司

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