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本申请公开了一种铜互连结构的形成方法，包括：在介质层中形成沟槽，介质层形成于衬底上方，衬底表面形成有半导体器件；在介质层和沟槽表面形成阻挡层；在阻挡层表面形成种籽层；通过电镀工艺在种籽层表面依次形成第一铜层和掺杂层；在掺杂层上形成第二铜层；进行平坦化处理，去除沟槽外的阻挡层、种籽层、第一铜层、掺杂层和第二铜层，使沟槽外的介质层暴露。本申请通过在铜层之间形成包含杂质元素的掺杂层，且该掺杂层形成的区域靠近沟槽表面，从而能够优化掺杂元素在铜层中的分布，在降低EM效应的同时不会明显增加器件的电阻，进而提
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114032592 A
(43)申请公布日 2022.02.11
(21)申请号 202111226412.3
(22)申请日 2021.10.21
(71)申请人 上海华力集成电路制造有限公司
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用户编号：7160061112000031
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