具有P型掺杂区和凹陷缓冲层的4H-SiC金属半导体场效应管.pdfVIP

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2023-04-24 发布于北京
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具有P型掺杂区和凹陷缓冲层的4H-SiC金属半导体场效应管.pdf

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本发明涉及场效应晶体管技术领域，公开了一种具有P型掺杂区和凹陷缓冲层的4H‑SiC金属半导体场效应管，自下而上包括4H‑SiC半绝缘衬底、P型缓冲层和N型沟道层，所述N型沟道层表面设有源极帽层和漏极帽层，所述源极帽层和漏极帽层表面分别设有源电极和漏电极，所述N型沟道上表面靠近源极帽层的一侧形成栅电极，所述栅电极与漏极帽层之间形成凹陷栅漏飘移区，所述栅电极与源极帽层之间形成栅源飘移区，所述凹陷栅漏飘移区的表面靠近栅角处设有P型掺杂区，所述栅源飘移区下方的P型缓冲层向下凹陷形成凹陷缓冲层。本发明具有

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114023805 A (43)申请公布日 2022.02.08 (21)申请号 202111210244.9 (22)申请日 2021.10.18 (71)申请人西安电子科技大学地址