二极管及其放大电路.pptxVIP

二极管及其放大电路第1页/共30页第2页/共30页PN+－阳极阴极半导体二极管一、二极管的结构分类型号 二极管 = PN结 + 管壳 + 引线结构符号二、二极管的伏－安特性三、二极管的主要参数四、二极管的等效模型和应用电路 第3页/共30页二极管分类（按管芯结构）金属触丝1. 点接触型二极管正极引线负极引线PN结面积小，结电容小，只允许通过较小电流（不超过几十毫安）用于检波和变频等高频小电流电路。eg. 锗1N34AN型锗外壳2. 平面型二极管用于集成电路制造工艺中。PN 结面积可大可小，用于开关、脉冲和高频电路中。3. 面接触型二极管PN结面积大，允许通过较大电流（几到几十安）用于工频大电流整流电路 第4页/共30页二极管的型号国家标准对半导体器件型号的命名举例如下：2AP9用数字代表同类器件的不同规格。器件的类型，P为普通管，Z为整流管，K为开关管器件的材料，A为N型Ge，B为P型Ge， C为N型Si， D为P型Si。2代表二极管，3代表三极管。 第5页/共30页iu锗VuAEi击穿电压VBRuVmAE反向饱和电流二极管的伏－安特性实验曲线1. 正向特性死区电压导通压降硅：(0.6~0.8) V2. 反向特性锗：(0.1~0.3V)硅：0.5 V锗：0.1 V 第6页/共30页二极管的主要参数1. 最大整流电流IF：二极管长期连续工作时，允许通过二极管的最大正向电流的平均值。2. 反向击穿电压VBR和最高反向工作电压VRM ：二极管反向电流急剧增加时对应的反向电压值，反向击穿时的电压值。3. 反向电流IR：室温下，在规定的反向电压下的反向电流值。硅二极管一般在纳安(nA)级；锗二极管在微安(?A)级。4. 最高工作频率fM：极间电容Cd、反向恢复时间TRR等 第7页/共30页二极管基本电路及分析方法一、**简单二极管电路的图解分析法二、二极管电路的简化模型分析法（简单有效、工程近似）二极管基于V—I特性的模型模型分析法应用举例整流电路静态工作情况分析限幅电路开关电路低电压稳压电路小信号工作情况分析 第8页/共30页RiD+vDD－图解分析法应用场合：电路中非线性器件的特性曲线已知例1 电路以及二极管伏—安特性曲线如图，已知电源VDD和电阻R，求二极管两端电压vD和流过二极管的电流iD。Q：工作点复杂、局限性 第9页/共30页－+－+－+－+反偏：二极管简化模型11．理想模型二极管电源电压远大于二极管的正向管压降正偏： 第10页/共30页+－1mA1mA－+－+0.7V二极管简化模型22．恒压降模型（ID≥1mA ）0.7V3．折线模型 第11页/共30页+－△iD+△iD△vD－△vD二极管简化模型34．小信号模型 第12页/共30页二极管简化模型45．PN结高频电路模型(康华光五版P77)高频或开关状态运用rs ：半导体体电阻rd ：结电阻CD ：扩散电容CB ：势垒电容Cd ：结电容，包括势垒电容与扩散电容的总效果PN结正向偏置： rd 阻值较小；Cd 主要取决于扩散电容PN结反向偏置： rd 阻值很大；Cd 主要取决于势垒电容 第13页/共30页整流电路例2 二极管基本电路如图所示，已知vs为正弦波。试利用二极管理想模型，定性地绘出vo的波形。半波整流电路 第14页/共30页静态工作情况分析例3 设简单硅二极管基本电路及习惯画法如图所示，R=10kΩ。对于下列两种情况，求电路的ID和VD的值：（1）VDD=10V；（2） VDD=1V 第15页/共30页限幅电路例4 一限幅电路如图所示，R=1kΩ，VREF=3V，二极管为硅二极管。分别用理想模型和恒压降模型：（1）求解vI=0V、4V、6V时相应的输出电压vO之值；（2）绘出当vI=6sinωt（V）相应的输出电压波形 第16页/共30页开关电路习惯画法开关电路理想模型开关电路例5 二极管电路如图所示，利用二极管理想模型求解:当vI1和vI2为0V或5V 时，求vI1和vI2的值不同组合情况下，输出电压vo的值。VCC 第17页/共30页低电压稳压电路例6 低电压稳压电路如图所示，利用二极管的正向压降特性，合理选取电路参数，对于硅二极管可以获得输出电压vO（=VD）近似等于0.7V，若采用几只二极管串联，则可获得1V以上的输出电压。 第18页/共30页小信号工作情况分析例7 如图所示二极管电路中，VDD=5V ，R=5kΩ，，恒压降模型的VD=0.7V，vs=0.1sinωt （V）：（1）求输出电压vO的交流量和总量；（2）绘出vO的波形直流通路交流通路 第19页/共30页iD/mA0vD/V－IZ(max)特殊二极管1稳压管（齐纳二极管）面结型硅半导体二极管稳定电压为反向击穿（齐纳）电压VZ代表符号、V-I特性、反向击穿时的模型主要参数：VZ、 I