光刻薄膜层的形成方法.pdfVIP

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2023-04-24 发布于北京
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光刻薄膜层的形成方法.pdf

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本申请公开了一种光刻薄膜层的形成方法，包括：在衬底上形成线形氧化层，衬底中形成有沟槽和/或通孔；在线性氧化层上形成HMDS层；在HMDS层上进行第一次SOC填充，形成第一SOC层；进行烘烤；在第一SOC层上进行第二次SOC填充，形成第二SOC层。本申请通过在光刻工艺的涂胶工序之前，通过形成线性氧化层，在线形氧化层上形成HDMS层以改善衬底、沟槽和通孔表面的疏水性，从而降低SOC脱胶的几率，通过在形成第一SOC层后进行烘烤以排除第一SOC层中的气泡，进而降低了形成的SOC层在沟槽和/或通孔表面产生

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114023631 A (43)申请公布日 2022.02.08 (21)申请号 202111185639.8 (22)申请日 2021.10.12 (71)申请人上海华虹宏力半导体制造有限公司