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基于CMP制备N极性GaN的方法、N极性GaN及其应用.pdfVIP

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  • 2023-04-24 发布于北京
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基于CMP制备N极性GaN的方法、N极性GaN及其应用.pdf

    本发明公开了一种基于CMP制备N极性GaN的方法、N极性GaN及其应用。所述基于CMP制备N极性GaN的方法包括：使Ga极性GaN材料的N极性面露出；采用碱性抛光液对所述Ga极性GaN材料的N极性面进行化学机械抛光减薄，以使其中的N极性GaN露出；其中，所述碱性抛光液包含研磨抛光纳米颗粒。本发明实施例提供的一种基于CMP制备N极性GaN的方法制备的N极性GaN不存在刻蚀损伤，可减小欧姆接触电阻，进而提高N极性GaN及其器件的性能，并且制备的N极性GaN的表面粗糙度更小。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114023640 A (43)申请公布日 2022.02.08 (21)申请号 202111300043.8 H01L 29/778 (2006.01)

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