发光元件及其制造方法.pdfVIP

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  • 2023-04-24 发布于北京
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本发明公开一种发光元件及其制造方法。发光元件包含:半导体叠层,具有第一半导体层、第二半导体层以及活性层;孔部暴露区,位于半导体叠层内,暴露出第一半导体层;第一导电层对应孔部暴露区;第一绝缘层,位于半导体叠层与第一导电层之间,包含开口对应孔部暴露区,第一导电层通过开口与第一半导体层电连接;第一电极层,位于第一导电层上,包含连接电极层对应第一导电层,与第一半导体层电连接;接合层,位于第一电极层上,与连接电极层电连接;导电基板,半导体叠层位于接合层的一侧,导电基板位于接合层相对于半导体叠层的另一侧;暴

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114005915 A (43)申请公布日 2022.02.01 (21)申请号 202111149489.5 (51)Int.Cl.

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