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- 2023-04-25 发布于四川
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本申请涉及半导体器件和半导体器件的制造方法。一种半导体器件包括：在第一方向上延伸的第一位线；在与第一方向交叉的第二方向上延伸的第一字线；位于第一字线与第一位线的第一交叉部的第一晶体管，第一晶体管连接到第一字线和第一位线；与第一晶体管电连接的第一电容器，第一电容器位于第一交叉部的第一部分处；与第一晶体管电隔离的第二电容器，第二电容器位于第一交叉部的第二部分处；以及与第二电容器电连接的第二晶体管，第一电容器和第二电容器位于第一晶体管和第二晶体管之间。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114068549 A
(43)申请公布日 2022.02.18
(21)申请号 202110522291.0
(22)申请日 2021.05.13
(30)优先权数据
10-2020-0
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