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浮栅型分栅闪存器件及其制造方法.pdfVIP

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  • 2023-04-25 发布于北京
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浮栅型分栅闪存器件及其制造方法.pdf

    本发明公开了一种浮栅型分栅闪存器件及其制造方法，该浮栅型分栅闪存器件包括P型阱等，选择栅氧化层、选择栅多晶硅层依次位于P型阱上，硬质掩膜层位于选择栅多晶硅层的上面，浮栅介质层沉积在硬质掩膜层、选择栅氧化层、选择栅多晶硅层、P型阱上，第二浮栅多晶硅层位于多晶硅间ONO层和浮栅介质层之间，第二控制栅多晶硅层位于多晶硅间ONO层的外侧，第二LDD区、源漏区都位于P型阱的两侧顶部，第五侧墙介质层、第六侧墙介质层依次位于第二控制栅多晶硅层的外侧。本发明将原有的CG和FG由纵向耦合变成纵向和横向的组合耦合，

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114038855 A (43)申请公布日 2022.02.11 (21)申请号 202111370370.0 (22)申请日 2021.11.18 (71)申请人 华虹半导体（无锡）有限公司

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