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- 2023-04-25 发布于四川
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本发明提供一种半导体装置及与非型闪速存储器的读出方法，可进行高速读出或高可靠性的读出。本发明的与非型闪速存储器的读出方法包括：预充电步骤，通过电压供给节点对感测节点进行预充电；放电步骤，为了进行规定的动作，将感测节点放电至电压供给节点；再充电步骤，在规定的动作后，通过电压供给节点对感测节点进行再充电；以及读出步骤，对与非串进行放电，并对存储单元进行感测。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114067891 A
(43)申请公布日 2022.02.18
(21)申请号 202110418808.1
(22)申请日 2021.04.19
(30)优先权数据
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