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本申请涉及形成微电子装置的方法以及相关微电子装置、存储器装置和电子系统。形成微电子装置的方法包括在导电屏蔽结构和水平邻近于所述导电屏蔽结构的第一介电结构上方形成导电屏蔽材料。第二介电结构形成在第一介电结构上且水平邻近于所述导电屏蔽材料。图案化所述导电屏蔽材料和所述第二介电结构以形成在第一水平方向上平行延伸的鳍片结构。所述鳍片结构中的每一个包括:两个介电末端结构,其与所述第二介电结构的剩余部分成一体;以及额外导电屏蔽结构,其在所述第一水平方向上插入在所述两个介电末端结构之间。导电线形成为在所述第一
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114078784 A
(43)申请公布日 2022.02.22
(21)申请号 202110947592.8
(22)申请日 2021.08.18
(30)优先权数据
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