用于形成互连结构的方法.pdfVIP

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  • 2023-04-26 发布于四川
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提供了一种用于形成用于第一晶体管和第二晶体管的互连结构的方法,其中第一晶体管包括水平延伸的第一沟道部分(112),且所述第二晶体管包括水平延伸的第二沟道部分(122),并且其中所述沟道部分在基板上被堆叠在彼此上方。该方法包括:形成在第二沟道部分的旁边和下方延伸的导电线(130);在导电线上形成用于电接触第一沟道部分的第一垂直互连结构(132);以及从背面减薄基板以从下方露出导电线。该方法还包括形成从下方露出第二沟道部分的通孔(146);用导电材料填充所述通孔以形成第二垂直互连结构(142);以及

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 115995426 A (43)申请公布日 2023.04.21 (21)申请号 202211265933.4 (22)申请日 2022.10.17 (30)优先权数据 9 2021

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