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外延设备的腔室清洁方法.pdfVIP

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  • 2023-04-26 发布于四川
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外延设备的腔室清洁方法.pdf

    本申请公开了一种外延设备的腔室清洁方法，包括：将外延设备的基座上升至第一位置，第一位置是通过外延设备进行外延工艺时基座所处的位置；进行第一刻蚀处理；将基座下降至第二位置；进行第二刻蚀处理；进行第一次冷却；进行硅涂布工艺；进行第二次冷却。本申请通过分两步刻蚀对外延设备的腔室进行刻蚀清洁处理，其中，第二次刻蚀中基座所处的第二位置低于第一次刻蚀中基座所处的第一位置，从而使更多的反应气体流向外延设备的下腔室，进而提高了腔室的清洁效果。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114086248 A (43)申请公布日 2022.02.25 (21)申请号 202111413912.8 (22)申请日 2021.11.25 (71)申请人 华虹半导体（无锡）有限公司

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