具有至少两个在基底上接触的功率半导体布置的功率模块.pdfVIP

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2023-04-26 发布于四川
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具有至少两个在基底上接触的功率半导体布置的功率模块.pdf

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本发明涉及具有至少两个在基底上接触的功率半导体布置的功率模块，其中，该功率模块具有至少两个在基底(4)上接触的、布置在壳体(18)中的功率半导体布置(6、8)。为改进功率模块(2)的可靠性，提出功率半导体布置(6、8)分别具有至少一个半导体构件(10)，其中，壳体(18)在相对置的侧(20、22)上具有功率接口(DCp、DCn、AC)，其中，基底(4)具有从功率接口(DCp、DCn、AC)到功率半导体布置(6、8)的馈电线(24)，其中，馈电线(24、28、30)布置在基底(4)上，使得实现对称

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114078833 A (43)申请公布日 2022.02.22 (21)申请号 202110949238.9 (51)Int.Cl.