氮化物基半导体装置及其制造方法.pdfVIP

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2023-04-26 发布于四川
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氮化物基半导体装置及其制造方法.pdf

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一种氮化物基半导体装置包含第一和第二氮化物基半导体层、源电极、漏电极和栅电极、经掺杂氮化物基半导体层，及第一场板。所述第一场板安置在所述经掺杂氮化物基半导体层之上。所述经掺杂氮化物基半导体层在所述第二氮化物基半导体层上的垂直投影与所述第一场板在所述第二氮化物基半导体层上的垂直投影重叠，且所述栅电极在所述第二氮化物基半导体层上的垂直投影与所述第一场板在所述第二氮化物基半导体层上的所述垂直投影物理地分隔开。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114080691 A (43)申请公布日 2022.02.22 (21)申请号 202180003947.6 H01L 29/40 (2006.01)