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半导体结构及其制造方法.pdfVIP

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  • 2023-04-26 发布于四川
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半导体结构及其制造方法.pdf

    本发明公开了一种半导体结构及其制造方法，半导体结构包括第一晶圆、第二晶圆、阻障层、连通道以及导电材料。第一晶圆具有导电垫。第二晶圆设置重叠于第一晶圆并包括对准导电垫的穿孔。穿孔的内壁与导电垫相接。阻障层覆盖穿孔的内壁。阻障层包括底部。底部覆盖导电垫。连通道从阻障层的底部延伸至导电垫内。连通道的内径小于穿孔的内径。导电材料填充穿孔与连通道，并连接至导电垫。如此，整体电性能够进一步改善。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114078794 A (43)申请公布日 2022.02.22 (21)申请号 202010875484.X (22)申请日 2020.08.27 (30)优先权数据 109127248

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