电阻式内存装置、其操作方法及其内存晶胞阵列.pdfVIP

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2023-04-27 发布于北京
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电阻式内存装置、其操作方法及其内存晶胞阵列.pdf

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本发明提供一种电阻式内存装置包括内存晶胞阵列、至少一虚置晶体管及控制电路。内存晶胞阵列包括多个内存晶胞。各内存晶胞包括电阻转换元件。虚置晶体管与电阻转换元件电性绝缘。控制电路耦接至内存晶胞阵列及虚置晶体管。控制电路用于提供第一位线电压、源极线电压及字线电压给虚置晶体管，以使虚置晶体管输出饱和电流。控制电路用于依据饱和电流决定驱动内存晶胞的第二位线电压的大小。另外，一种电阻式内存装置的操作方法及内存晶胞阵列亦被提出。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114171084 A (43)申请公布日 2022.03.11 (21)申请号 202010952236.0 (22)申请日 2020.09.11 (71)申请人华邦电子股份有限公司