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半导体结构及其形成方法.pdfVIP

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  • 2023-04-27 发布于四川
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半导体结构及其形成方法.pdf

    一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，包括用于形成第一器件的第一区域和用于形成第二器件的第二区域，第一器件大于第二器件的工作电压，基底上形成有沿第一方向延伸、且由下而上依次堆叠的高k栅介质层、金属阻挡层和多晶硅栅极，多晶硅栅极两侧基底中形成有源漏掺杂区；在多晶硅栅极侧部的基底上形成层间介质层；在第一区域的多晶硅栅极中形成第一沟槽，包括沿第一方向延伸的竖向沟槽、以及与竖向沟槽的端部相连通的横向沟槽，横向沟槽沿第二方向延伸；去除第二区域的多晶硅栅极，在层间介质层中形成栅极开口；在第一沟

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114156334 A (43)申请公布日 2022.03.08 (21)申请号 202010928090.6 (22)申请日 2020.09.07 (71)申请人 中芯北方集成电路制造（北京）有限

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