一种交换偏置大小可调的二维范德瓦尔斯同质结构及其制备方法.pdfVIP

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2023-04-27 发布于四川
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一种交换偏置大小可调的二维范德瓦尔斯同质结构及其制备方法.pdf

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本发明公开一种交换偏置大小可调的二维范德瓦尔斯同质结构，涉及磁存储技术领域，本发明包括相互叠加的二维范德瓦尔斯铁磁层和二维范德瓦尔斯反铁磁层，所述铁磁层和反铁磁层的厚度均为2‑200nm，所述铁磁层和反铁磁层的厚度之比为x:(1‑x)，其中x范围为0.1‑0.9。本发明的有益效果在于：现有的交换偏置难以调控偏置大小，在已知能够诱导出交换偏置的情况下，也并不能对交换偏置场的大小进行调控，本发明通过调整铁磁层和反铁磁层厚度的相对比例，从而实现并调控交换偏置大小。反铁磁层占比越高，交换偏置场越大。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114156403 A (43)申请公布日 2022.03.08 (21)申请号 202111276576.7 (22)申请日 2021.10.29 (71)申请人中国科学院合肥物质科学研究院