一种降低晶圆套刻偏差的方法及装置.pdfVIP

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2023-04-28 发布于四川
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一种降低晶圆套刻偏差的方法及装置.pdf

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本申请实施例公开了一种降低晶圆套刻偏差方法及装置，方法包括：确定晶圆的对位标记以及待测区域，对位标记是用于确定零层图形的定位坐标，待测区域是预设零层图形的曝光区域；对晶圆进行曝光，获得实际零层图形；通过量测系统对晶圆进行量测，并根据对位标记以及实际零层图形和预设零层图形的定位坐标确定图形偏移量，图形偏移量用于计算光刻机的套刻精度，以便在确定出光刻机的实际套刻精度小于套刻精度阈值时，及时做出响应。本技术方案通过设置对位标记以及根据测量坐标系的方法，可以根据零层图形的定位坐标确定光刻机的实际套刻精度

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114200790 A (43)申请公布日 2022.03.18 (21)申请号 202210031910.0 (22)申请日 2022.01.12 (71)申请人澳芯