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实验一 MOSFET 特性与驱动电路研究 一．实验目的 熟悉MOSFET 的开关特性。 掌握MOSFET 缓冲电路的工作原理与参数设计要求。 掌握MOSFET 对驱动电路的要求。 熟悉MOSFET 主要参数的测量方法。 二．实验内容 1．MOSFET 的特性与驱动电路研究。 三．实验设备和仪器 NMCL-07C、NMCL-22 电力电子实验箱 双踪示波器 万用表（自备） 教学实验台主控制屏 四．实验方法 MOSFET 主要参数测试 开启阈值电压 VGS(th)测试 开启阈值电压简称开启电压，是指器件流过一定量的漏极电流时 (通常取漏极电流 ID=1mA)的最小栅源电压。 断开 NMCL-07 中的电源（开关 S），主回路的“1”端与 MOS 管的“D”端之间串入 直流毫安表，测量漏极电流ID，将主控制屏 NMCL-31 的正给定 Ug 和“ 地”分别与 MOS 管的“ G”与“ S”端相连， NMCL-31 的“ 地” 与 NMCL-07 中的“3”共地，再在“G” V与“S”端间接入电压表，测量 MOS 管的栅源电压 ，并将 Ug 电位器 RP 左旋到 V gs V底， 使 =0 。 V gs 将电位器 RP 逐渐向右旋转，边旋转边监视毫安表的读数，当漏极电流 ID=1mA V时的栅源电压值即为开启阈值电压 。 V GS(th) 适当选择、读取 7 组 I 、V ， 其中 I =1mA 必测， 填入表 2-1 。 表 2-1 ID(mA) Vgs(V) D gs D 0.1 0.4 0.7 1 5 10 20 跨导 gFS 测试 双极型晶体管 (GTR) 通常用 hFE( β )表示其增益，功率 MOSFET 器件以跨导 gFS 表示其增益。跨导的定义为漏极电流的小变化量与相应的栅源电压小变化量之比， IVg即 =Δ ／Δ 。 I V g FS D GS 典型的跨导额定值是在 1/2 额定漏极电流和 V 验中只能 测到 1/5 额定漏极电流值。 =15V 下测得，受条件限制，实 DS g根据表 2-1 的测量数值， 计算 。 g FS 转移特性 ID=f(Vsd) 栅源电压 Vgs 与漏极电流 ID 的关系曲线称为转移特性。根据表 2-1 的测量数值， 绘出转移特性。 导通电阻 RDS 测试 R导通电阻定义为 = R DS ／ VIDS D V I V将电压表接至 MOS 管的“ D” 与“ S” 两端， 测量 ， 其余接线同上。改 V DS 变 VGS 从小到大读取 ID 与对应的漏源电压 V 表 2-2 ， 测量 7 组数值， 填入表 2-2 。 DS ID(mA) 0.1 VDS (V) 0.4 0.7 1 5 10 20 SG3525 性能测试 NMCL-22 实验箱上。 锯齿波周期与幅值测量。测量“1”端。 输出最大与最小占空比测量。测量“2”端。 不同负载时 MOSFET 的开关特性测试 电阻负载时的开关特性测试 (NMCL-07C 挂件箱) MOSFET：将开关 S1 拨到＋15V，S2 接地，PWM 波形发生器的“21”与面板上的“20” 相连，“26”与功率器件 MOSFET 的“G”端、“D”端与主回路的“1”、“S”端与“14” 、“18”与主回路的“3”相连。 用示波器分别观察，栅极驱动信号 ig（“G”端与“18”之间) 的波形及电流iD(“14”与“18” 之间) 的波形，记录开通时间ton，存贮时间ts、下降时间tf。 ton= us，ts= us，tf= us 电阻、电感性负载时的开关特性测试 除了将主回器部分由电阻负载改为电阻、电感性负载以外（即将“1”断开，而将“2”相连)，其余接线与测试方法同上。 ton= us，ts= us，tf= us 不同栅极电流时的开关特性测试 断开 “26”与“G”端的连接，将栅极回路的“27”与“G”端相连，其余接线同上，测量并记录栅极驱动信号ig（“G”端与“18”之间）及电流is（“14”与“18”之间）波形，记录开通时间 ton，存贮时间ts、下降时间tf。 断开 “27”与“G”端的连接，将栅极回路的“28”与“G”端相连，其余接线与测试方法同上。 ton= us，ts= us，tf= us MOSFET 有与没有栅极反压时的开关过程比较(选作) 没有栅极反压时的开关过程测试---与上述 2 测试方法相同。 有栅极反压时的开关过程测试 MOSFET：将原来的“18”与“3”断开，并将“18”与“9”以及“8”与“3”相连，其余接线与测 试方法同上。 ton= us，ts= us，tf= us 并联缓冲电路作用测试 带电阻负载 MOSFET：“6”与 MOSFET 的“D”端相连、“7”与“S”端相连，观察有与没有缓冲电路时 “G”端与“