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本发明属于半导体电子器件技术领域,具体涉及一种基于蓝宝石衬底的氮化铝外延片的制备方法。该方法主要在buffer阶段进行工艺优化,在生长buffer阶段温度梯度循环变化生长,三甲基铝源长通,NH3周期变化通入。优化的buffer层长完后,再岛状(3D)及二维(2D)生长,制得氮化铝过渡层;在所述氮化铝过渡层上依次生长非掺杂氮化镓层、N型氮化镓层、多量子阱层、P型电子阻挡层、P型氮化镓层和P型接触层,制得基于蓝宝石衬底的氮化铝外延片。通过该工艺生长的AlN薄膜材料,可以改变位错的倾斜行为,减少位错密
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114203865 A
(43)申请公布日 2022.03.18
(21)申请号 202111483678.6 H01L 33/32 (2010.01)
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