太阳能电池用薄膜.pptxVIP

第1页/共27页太阳能电池用薄膜第2页/共27页第十六章太阳能电池中的薄膜技术与薄膜材料第3页/共27页太阳能世界和中国主要常规能源储量预测第4页/共27页太阳能可再生能源：环保、可持续、能源安全太阳能的优点：数量巨大：太阳给地球1.5天提供的能量相当于全球可供开采石油的总量（3万亿桶）；给地球1秒钟的能量，相当于2008年汶川8.0级地震所释放的能量。清洁安全：远比常规能源清洁；远比原子核能安全。普照大地：太阳辐射“送货上门”，既不需要开采和挖掘，也不需要运输。取之不尽，用之不竭。太阳能的利用主要为：光-热转化（如太阳能热水器、暖房等）和光-电转化（如太阳能电池）。 第5页/共27页太阳能电池太阳能电池的基本结构图太阳能电池的电流电压特性曲线第6页/共27页太阳能电池利用光伏效应(photovoltaic effect)将光能直接转换成电能的一种P-N结半导体装置。原理：当晶片的接触面受光后，只要光子的能量等于或大于Eg，就会把电子从价带激发到导带，在价带中留下一个空穴，产生电子-空穴对。如果所产生的电子-空穴对有足够长的寿命，各自扩散到p-n 结的势垒区附近，在p-n结的内建电场作用下被互相分离，光生的非平衡空穴往带负电的p型区移动，电子往带正电的n 型区移动。在p-n 结开路情况下，n区边界将积累非平衡电子，p区边界将积累非平衡空穴，产生一个与p-n结内建电场方向相反的光生电场Voc，这就是光伏效应。在p-n结短路情况下光生电子和光生空穴分别产生电流Jn 和Jp，总的光生电流密度Jsc为两者之和。此时在晶片的两边加上电极并引入负载，只要光照不停止，就会不断地有电流流过电路，p-n 结起到了电源的作用，这就是光电池的基本工作原理。光照在接触面产生的电子－空穴对愈多，电流愈大。第7页/共27页太阳能电池太阳光辐射主要是以可见光为中心，分布于 0.3 ?m 至几微米光谱范围，对应光子能量 0.4 eV ~ 4 eV 之间，总体来说，理想太阳能电池材料需要具备： 能带在1.1eV~1.7eV之间 (对应光波长范围0.73~1.13μm) 直接能带半导体组成材料无毒性可利用薄膜沉积技术且可大面积制备有良好的光电转换效率 具有长期稳定性第8页/共27页薄膜太阳能电池顾名思义，就是将一层薄膜制备成太阳能电池，形成可产生电压的薄膜厚度仅需数微米。在同一受光面积之下可较硅晶圆太阳能电池大幅减少原料的用量。在国际市场硅原材料持续紧张的背景下，薄膜太阳能电池将成为国际光伏市场发展的新趋势和新热点。第9页/共27页薄膜太阳能电池非晶硅分类硅基薄膜微晶硅多晶硅CdTe薄膜化合物半导体薄膜太阳能电池CIGS薄膜GaAs薄膜新技术新材料有机薄膜染料敏化第10页/共27页硅薄膜太阳能电池薄膜硅太阳能电池目前，晶体硅太阳电池是光伏市场的主导产品之一 特点材料大多来自半导体硅材料外品和单晶硅的头尾料,原料紧缺；高效率、低成本、大规模生产发展。 生产工艺硅材料是构成晶体硅太阳电池组件成本中很难降低的部分；不采用由硅原料、硅锭、硅片到太阳电池的工艺路线，而采用直接由原材料到太阳电池的工艺路线，发展薄膜太阳电池的技术。制作成本高，不能满足光伏工业发展的需要。第11页/共27页硅薄膜太阳能电池多晶硅薄膜太阳能电池的制备目前多采用各种化学气相沉积法，包括等离子增强化学气相沉积（PECVD）和低压化学气相沉积（LPCVD）工艺等。此外还有半导体液相外延生长法、固相结晶法和溅射沉积法也可用来制备多晶硅薄膜太阳能电池。 非晶硅薄膜太阳能电池制备方法主要有PECVD、LPCVD和反应溅射法等。其中PECVD法最为成熟，且在低温下就可以制备非晶硅太阳能电池。反应原料气体为H2稀释的SiH4，衬底主要为玻璃及不锈钢片等。微晶硅材料的主要技术方法包括3种化学气相沉积法：1): 射频PECVD (RF-PECVD); 2): 高频PECVD（VHF-PECVD); 3): 热丝化学气相沉积 (HW-CVD)。第12页/共27页非晶硅薄膜太阳能电池导电减反层ITO；直流脉冲溅射Top: a-Si (1.8eV), 吸收蓝光。Middle: a-SiGe (1.6eV), 吸收绿光, Ge 含量10%-15%。Bottom: a-SiGe (1.4eV), 为40%-50%吸收红光和红外光, Ge 含量较高。此膜层是通过RF—PECVD来完成。接触层：防扩散、被反射，主要用直流脉冲磁控溅射法制备背电极：Ag薄膜，用来收集电流；主要用直流磁控溅射法制备第13页/共27页CdTe薄膜太阳能电池CdTe禁带宽度为1.46 eV，接近太阳光能量分布的理想值，其薄膜的吸收系数大，大于5?105/cm2，即2 μm厚就可将100％能量大于带宽的入射太阳光吸收。CdTe薄膜太阳能电池的理论性能参数为