二维VSe2磁性及其应变调控研究.pdf

二维VSe2 磁性及其应变调控研究 中文摘要 原子薄的二维（2D ）范德华材料具有新颖的物理效应，柔性的特点以及高密度集成 的潜力，已经引起了基础研究和技术应用的极大兴趣。其中，2D 磁性材料的磁序能够 被层数和层间耦合机制调控，这种特征在体相中是不存在的。因此，2D 磁性材料是研 究低维自旋电子学极好的体系。然而，大多数2D 材料并非具有本征铁磁性，如早期研 究者通过磁性元素掺杂实现2D 铁磁。近几年，高质量原子薄的CrI 、CrGeTe 、Fe GeTe 3 3 3 2 的成功制备，掀起了本征二维磁性材料的研究热潮，然而，这些材料大多数都是低通量 制备且不具有空气稳定性，使得它们的直接合成和后处理加工变得更加困难，同时，较 低的居里温度也限制了其实际应用。因此，实现空气稳定且居里温度高于室温的2D 本 征铁磁性材料的高通量制备非常重要。此外，二维层状铁磁材料的磁性能够被外场（电 场和应力场）调控，如：门电压诱导电子掺杂提高居里温度T ，压力改变层堆垛构型诱 c 导磁相变，拉应力改变磁各向异性能实现磁反转等。这将为二维磁性材料在电控自旋器 件以及应力传感器等领域的应用提供了巨大机会，说明了二维磁性的调控非常有意义。 2D VSe2 作为一种层状铁磁性材料，其居里温度远高于室温，而且理论计算预测应 力可有效调控单层VSe2 的磁性，因而具有很高的研究价值。目前，对于二维VSe2 磁性 的研究仍处于起步阶段，尤其是应力对其磁性调控的实验工作并没有报道。基于此，本 论文主要开展了以下几方面的研究： (1) 通过化学气相沉积（CVD ）高通量制备2D VSe ，研究了其形貌厚度随不同生 2 长条件（温度、源与基片之间的距离、原料供应量、载气流量等）的变化规律。结果发 现生长温度为540~550 °C，源基距在16~20 cm 是最佳生长窗口，在此条件下，可以获 得尺寸均匀（~ 50um ），厚度超薄（~ 4nm ），形貌平整的2D VSe2 单晶纳米片，为后续 其磁性研究提供了材料保障。 (2) 系统探究了 VSe2 的面内面外磁性随温度的变化规律，以及微观磁畴对厚度的 I 依赖关系。宏观磁性结果发现VSe 的居里温度（T ）约为320K ，饱和磁化强度随温度 2 c 的升高而减小，矫顽场随温度升高整体呈现减小的趋势，在70 K 左右出现反常增大， 原因是由于电荷密度波 （CDW ）转变；VSe2 纳米片的微观磁性表征显示其磁畴信号在 厚度接近单层时最强，两层时急剧下降，当厚度达到十层以上，磁畴信号几乎消失，该 结果证实了随着厚度的增加VSe2 的磁性由铁磁态转变为顺磁态。 (3) 探索了应力对 VSe2 磁性的调控规律。结果表明，无论在拉应力还是压应力作 用下，VSe2 始终保持铁磁有序，这是由于在应力作用下，决定铁磁耦合的键相互作用始 终占据主导地位。此外，施加拉应力，VSe2 磁矩增大，矫顽场减小，施加压应力，磁矩 略微减小，矫顽场基本没有变化，原因是在施加拉应力时，V 、Se 原子间距增大，使V- Se 离子相互作用强于共价相互作用，未成对电子数目增多，造成磁矩增大，而施加压应 力时，V 、Se 间距减小，共价作用增强，未成对电子数目减少，造成磁矩减小。 关键词：2D 磁性，2D VSe2 ，室温铁磁，微观磁畴，应力调控 II 目 录 中文摘要 I ABSTRACT III 1 绪论1 1.1 引言1