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半导体中杂质原子扩散的机理 微电子工艺2010-09-3014:05:16阅读152评论0字号：大中小订阅 XieMeng-xian（电子科大，成都市） 在向Si和GaAs等半导体内部掺入施主或者受主杂质原子时，最常采用的技术是热扩散（ThermalDiffusion）和离子注入。对于热扩散技术来说，往往都需要较高的扩散温度；因为施主或受主杂质原子的半径一般都比较大，要它们直接进入到半导体晶格中去是很困难的，然而如果利用高温产生出一些热缺陷，则通过这些热缺陷的帮助即可容易地扩散、并进入到半导体中去。 半导体晶体中原子扩散的机理不同于载流子的扩散。载流子扩散的快慢主要决定于它们所遭受的散射作用；而原子扩散的快慢则主要决定于晶体中热缺陷（间隙原子和空位）的数量。 （1）原子扩散系数： 杂质原子扩散的快慢用相应的扩散系数来表征。因为原子在晶体中的扩散，实际上是通过间隙原子或者晶格空位、一步一步地在晶格之间跳跃前进的；如果所需要跳过的势垒高度为Ea，则扩散系数D与温度T之间的关系可表示为IS 常数Ea称为扩散激活能。实验表明，溶解度愈小的代位式杂质原子，其扩散系数就愈大。 对于半导体中杂质原子的扩散，为了让晶体中产生出大量的热缺陷，就必须对晶体加热，让晶体原子的热运动加剧，以便于某些原子获得足够高的能量而离开晶格位置，并产生出空位和等量的间隙原子。因此，原子的扩散系数随着温度的升高而指数式增大。对于Si晶体，要在其中形成大量的热缺陷，所需要的温度大致为1000OC左右，这也就是热扩散的温度。 （2）扩散机理： 施主或者受主杂质原子通过热扩散而进入到半导体中之后，必须要处于替代晶格的位置才能起到提供载流子的作用一一即具有电活性。从机理上来说，代位杂质原子扩散的具体方式主要有三种： 利用晶格空位的扩散： 在杂质原子的代位式扩散机理中，可以有两种重要的扩散方式，即（a）直接交换方式和（b）空位交换方式；在这两种代位扩散方式中，杂质原子利用空位的交换方式是最容易进行的（所需要的激活能较低），因此可以认为杂质原子的扩散等效于晶格空位的扩散。 虽然杂质原子以代位方式扩散的速度较慢，需要的扩散温度较高（800oC~1200oC），但是这种扩散可以精确地控制扩散深度（p-n结的结深）和掺杂浓度，只要精确地控制扩散温度即可（往往要求温度控制精度达到±1oC）。Si中硼、磷等杂质的扩散就属于代位式扩散。 利用自间隙原子的扩散: 杂质原子也可以通过晶体的自间隙原子来进行扩散，即自间隙原子取代杂质原子、并把杂质原子推到替代晶格的位置上去。这种间隙式扩散只有在存在空位扩散时才会发生。实际上，Si中硼、磷的扩散，就是利用Si自间隙原子和晶格空位这两种扩散机理来进行的。 通过晶格间隙的扩散： 可以通过两种方式来让杂质原子进入到晶格位置，即挤出方式（1）（即杂质原子取代晶格Si原子）和Frank-Turnbull方式（2）。Frank-Turnbull方式也称为代位-间隙方式（SI），即是间隙杂质原子被空位俘获。这里不需要Si自间隙原子的帮助；而且这种间隙杂质原子具有溶解度低于替位原子的特点。 此外，对于非施主和非受主杂质的扩散，情况将有所不同。如Au、Pt等重金属杂质，因为这些杂质原子的半径一般都较小，则这些原子可以直接在晶格间隙中穿行，因此它们的扩散速度都很快（在1000OC下10分钟就可扩散200~300pm的深度），则所需要的扩散温度也就较低一些（800oC~1050oC）。 总之，半导体中施主或者受主杂质原子的热扩散，主要是以代位式或者间隙式进行，扩散的速度较慢，所得到的浓度分布是不均匀的erfc分布或Gauss分布，而且表面处的浓度高、体内的浓度低。但是半导体中一些半径较小的重金属杂质原子（Au、Cu、Pt等）的扩散多为简单的间隙式扩散，则扩散速度很快，并因此可认为扩散以后的浓度分布基本上是均匀的（其浓度大小由该温度下的固溶度来决定）。 （3）Fair空位模型： 在杂质原子的代位式扩散机理中，扩散是通过空位交换的方式来进行的，在此比较常用、且又比较符合实际情况的一种扩散模型就是所谓Fair空位模型。该模型适用于温度低于1000oC、掺杂浓度在中等以下的多种杂质扩散的情况。 在Fair空位模型中，空位可以获得电子而带负电荷，也可以失去电子而带正电荷。因为对于Si和GaAs而言，每一个原子都与4个相邻的原子以共价键联系着（GaAs中的价键还带有离子性），当出现一个晶格空位时，即有4个邻位原子的价电子层是不饱和的，所以空位能够带有的电荷可以有4种负电荷的情况（即一个电子电荷、2个电子电荷、3个电子电荷和4个电子电荷）以及4种正电荷的情况（即一个正电荷、2个正电荷、3个正电荷和4个正电荷）；再加上中性的空位，则晶体中的空位共有9种不同的带电状态。 因为空位俘获电