硅晶圆的切割工艺研究.docxVIP

? ? 硅晶圆的切割工艺研究 ? ? Summary：本文主要探究硅晶圆切割工艺。研究过程中，以激光隐形切割工艺为例，选择8寸硅晶圆，厚度450μm，99.9%纯硅为试验材料，光纤激光器为试验设备，结果表明激光功率、焦点位置、激光频率、光板重叠率、速度及加工次数均会影响切割效果，需结合实际情况，设置切割参数，从而为相关工作者提供参考。 Keys：硅晶圆；激光切割；切割工艺 前言： 硅晶圆作为常见半导体材料，采用单晶硅，纯度要求超过99.9999%，硅晶圆器件已经应用至各个领域，生产总量惊人。传统切割方式主要应用高速金刚石片进行接触式切割，易产生切割崩边、微裂纹大的情况，且刀轮多为U型与V型结构，无法做到刀片无限薄，不符合超窄切割道硅片需求。因此，在硅晶圆切割中，应当采取非接触式的激光切割加工工艺，以完成脆性材料加工。 1试验设备与方法 1.1试验材料 半导体晶圆材料选用单晶硅，试验中选用材料是8寸硅晶圆，厚度450μm，为99.9%纯硅。 1.2试验设备 试验设备选用光纤激光器（见图1），脉宽可变，波长1064nm，频率50-1000k，采取旁轴与同轴分别检测切割道与裂纹的机器视觉[1]。 图1 试验设备 1.3试验方法 本文采取隐形激光切割方式：（1）激光切割，完成后硅晶圆内部形成改质层，表面产生裂纹；（2）扩片，使用扩片机分开晶圆颗粒[2]。隐形切割作为特殊加工方式，激