一种半导体反应腔的气路系统、控制方法及加工设备.pdfVIP

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2023-05-04 发布于北京
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一种半导体反应腔的气路系统、控制方法及加工设备.pdf

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本发明涉及一种半导体反应腔的气路系统、控制方法及半导体加工设备，属于半导体技术领域，解决了现有技术中由于工艺管线内残留气体，导致不同晶片的工艺环境不一样，不同晶片之间一致性差的问题。该系统包括用于提供刻蚀气体的气柜、用于向反应腔输送刻蚀气体的气体输送部、主气体管线和抽气装置；气柜和气体输送部之间通过主气体管线连接；主气体管线上设有抽气装置和用于监测气体压力的压力监测器，并且连接气体输送部和反应腔的气体管线上也设有压力监测器。该控制方法包括取片流程、清洗流程以及进片和图案化处理流程，取片流程、清洗

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114256086 A (43)申请公布日 2022.03.29 (21)申请号 202011015513.1 (22)申请日 2020.09.24 (71)申请人中国科学院微电子研究所