半导体结构及其形成方法.pdfVIP

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2023-05-04 发布于北京
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半导体结构及其形成方法.pdf

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一种半导体结构及其形成方法，其中方法包括：提供衬底，所述衬底包括第一区和第二区；在所述第一区和第二区表面形成第一介质结构；在所述第一介质结构内形成若干延伸至衬底内的隔离开口；在所述隔离开口内及所述第一介质结构表面形成隔离结构材料层；回刻蚀所述隔离结构材料层，直至暴露出所述第一介质结构表面，形成若干隔离结构，并且，第一区比例与第二区比例不同；在所述第一介质结构以及若干隔离结构表面形成第二介质结构，所述第二介质结构表面高于所述第一介质结构表面，且所述第二介质结构的材料与所述隔离结构的材料不同。从而，

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114256230 A (43)申请公布日 2022.03.29 (21)申请号 202010997706.5 (22)申请日 2020.09.21 (71)申请人中芯国际集成电路制造(上海)有限