包括三维半导体元件的光电器件和制造所述器件的方法.pdfVIP

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2023-05-04 发布于北京
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包括三维半导体元件的光电器件和制造所述器件的方法.pdf

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本公开涉及一种用于制造光电器件(70)的方法，包括通过金属有机化学气相沉积MOCVD形成由掺杂或未掺杂的III‑V族化合物制成的线形、锥形或截头锥形半导体元件(34)，每个半导体元件沿轴线(C)延伸并包括顶部(35)；以及对于每个半导体元件，通过远程等离子体化学气相沉积RPCVD或通过分子束外延MBE或通过氢化物气相外延HVPE，仅在所述顶部上形成有源区(44)，该有源区域包括至少由III‑V族化合物制成的第一半导体层和由III‑V族化合物和附加的III族元素制成的第二半导体层。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114270542 A (43)申请公布日 2022.04.01 (21)申请号 202080059343.9 (74)专利代理机构北京品源专利代理有限公司