半导体结构及其形成方法.pdfVIP

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2023-05-04 发布于北京
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半导体结构及其形成方法.pdf

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本申请提供半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：半导体衬底，所述半导体衬底包括第一区域和第二区域以及隔离所述第一区域和所述第二区域的隔离结构；栅极结构，位于所述第一区域和所述第二区域的半导体衬底上；第一侧墙，位于所述栅极结构的侧壁；源极和漏极，位于所述栅极结构两侧的半导体衬底中，其中，所述第一区域还包括轻掺杂源极，所述轻掺杂源极延伸至所述第一区域上源极一侧的第一侧墙下方；第二侧墙，位于所述第一区域上的漏极一侧的第一侧墙侧壁以及所述第二区域的第一侧墙侧壁。本申请所述的半导体结构及其形成方法，

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114256073 A (43)申请公布日 2022.03.29 (21)申请号 202011026273.5 (22)申请日 2020.09.25 (71)申请人北方