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双极型晶体管MOS管简介第1页/共62页 2§1.3 双极型晶体管双极型晶体管的几种常见外形（a）小功率管 （b）小功率管 （c）中功率管 （d）大功率管 双极型晶体管又称三极管。电路表示符号：BJT。根据功率的不同具有不同的外形结构。第2页/共62页 3一. 基本结构BECNNP基极发射极集电极NPN型PNP集电极基极发射极BCEPNP型 由两个掺杂浓度不同且背靠背排列的PN结组成，根据排列方式的不同可分为NPN型和PNP型两种,每个PN结所对应区域分别称为发射区、基区和集电区。第3页/共62页 4BECIBIEICNPN型三极管BECIBIEICPNP型三极管制成晶体管的材料可以为Si或Ge。第4页/共62页 5BECNNP基极发射极集电极基区：较薄，掺杂浓度低集电区：面积较大发射区：掺杂浓度较高第5页/共62页 6BECNNP基极发射极集电极发射结集电结 BJT是非线性元件，其工作特性与其工作模式有关：当EB结和CB结均加正偏时,BJT处于饱和模式;当EB结加零偏或反偏、CB结加反偏时,BJT处于截止模式。当EB结加正偏, CB结加反偏时,BJT处于放大模式;BJT主要用途是对变化的电流、电压信号进行放大，饱和模式和截止模式主要用于数字电路中。第6页/共62页 7二. 电流放大原理以NPN型BJT为例讨论，其结论同样适用于PNP型BJT，不同的是外加电压与前者相反。输入回路输出回路共射极放大电路工作的基本条件：EB结正偏；CB结反偏。VCCVBB VEE第7页/共62页 8　　BJT的放大作用可表现为：用较小的基极电流控制较大的集电极电流，或将较小的电压按比例放大为较大的电压。a)．EB结加正偏,扩散运动形成IE。 b)．扩散到基区的自由电子与空穴复合形成IB。c)．CB结加反偏,漂移运动形成IC。1．BJT内部载流子运动第8页/共62页 9BECNNPEBRBECIE基区空穴向发射区的扩散可忽略。IBE进入P区的电子少部分与基区的空穴复合，形成电流IBE ，多数扩散到集电结。发射结正偏，发射区电子不断向基区扩散，形成发射极电流IE。RC第9页/共62页 10BECNNPEBRBECIE集电结反偏，有少子形成的反向电流ICBO。ICBOIC=ICE+ICBO?ICEIBEICE从基区扩散来的电子作为集电结的少子，漂移进入集电结而被收集，形成ICE。ICBO：发射极开路时集电结反向饱和电流 ICEO ：基极开路时集电极与发射极在VCC 反偏作用下的电流 ，称为穿透电流。分析时可忽略，但可反映BJT的质量。第10页/共62页 11IB=IBE -ICBO?IBEIBBECNNPEBRBECIEICBOICEIC=ICE+ICBO ?ICEIBE第11页/共62页 122.电流分配关系　　忽略对极间电流影响较小的电子和空穴运动形成的电流，BJT中电流关系为： IE=IC+IB3.BJT电流放大系数共射极直流电流放大系数: β ≈IC / IB ∴ IE ≈(1+ β ) IB共射极交流电流放大系数: β≈△iC /△iB β ≈ β ，β 由BJT制造时材料掺杂浓度决定。第12页/共62页 13三. 特性曲线 实验线路ICmA?AVVUCEUBERBIBECEB输入回路输出回路RC第13页/共62页 141.输入特性工作压降： 硅管UBE?0.6~0.7V,锗管UBE?0.2~0.4V。UCE ?1VIB(?A)UBE(V)204060800.40.8UCE=0VUCE =0.5V 死区电压，硅管0.5V，锗管0.2V。第14页/共62页 152.输出特性IC(mA )1234UCE(V)36912IB=020?A40?A60?A80?A100?A此区域满足IC=?IB称为线性区（放大区）。当UCE大于一定的数值时，IC只与IB有关，IC=?IB。第15页/共62页 16IC(mA )1234UCE(V)36912IB=020?A40?A60?A80?A100?A此区域中UCE?UBE,集电结正偏，?IBIC，UCE≤ 0.3V称为饱和区。第16页/共62页 17IC(mA )1234UCE(V)36912IB=020?A40?A60?A80?A100?A此区域中 : IB=0,IC=ICEO,UBE 死区电压，称为截止区。第17页/共62页 18输出特性三个区域的特点:放大区：发射结正偏，集电结反偏。 即： IC=?IB , 且 ?IC = ? ? IB(2) 饱和区：发射结正偏，集电结正偏。