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双极结型三极管及放大第1页/共31页第2页/共31页4 双极结型三极管及放大电路基础4.1 BJT4.2 基本共射极放大电路4.3 放大电路的分析方法4.4 放大电路静态工作点的稳定问题4.5 共集电极放大电路和共基极放大电路4.6 组合放大电路4.7 放大电路的频率响应第3页/共31页4.1 双极型三极管BJT一个PN结二极管单向导电性二个PN结三极管电流放大（控制）第4页/共31页(a) 小功率管(b) 小功率管(c) 大功率管(d) 中功率管4.1.1 BJT的结构简介按频率分有高频管、低频管分类：按功率分有小、中、大功率管按材料分有硅管、锗管按结构分有NPN型和PNP型第5页/共31页大功率管塑料封装金属封装三极管的不同封装形式中功率管第6页/共31页4.1.1 BJT的结构简介 半导体三极管的结构有两种类型:NPN型和PNP型。1. NPN型NPN管的电路符号第7页/共31页2.PNP型PNP管的电路符号第8页/共31页4.1.2 放大状态下BJT的工作原理正常放大时外加偏置电压的要求发射区向基区注入载流子发射结应加正向电压（正向偏置）集电区从基区接受载流子集电结应加反向电压（反向偏置）问：若为PNP管，图中电源极性如何？第9页/共31页1.发射区向基区注入电子（IEN、IEP小）1.三极管内载流子的传输过程另外,基区集电区本身存在的少子，在集电结上存在漂移运动，由此形成电流ICBO2.电子在基区中的扩散与复合（IBN）3.集电区收集扩散过来的电子（ICN）三极管内有两种载流子参与导电，故称此种三极管为双极型三极管，记为BJT (Bipolar Junction Transistor)第10页/共31页放大状态下BJT中载流子的传输过程发射区：发射载流子集电区：收集载流子基区：传送和控制载流子 第11页/共31页2. 电流分配关系 ? 为电流放大系数。它只与管子的结构尺寸和掺杂浓度有关，与外加电压无关。一般 ? = 0.9?0.99 。根据传输过程可知IE=IB+ IC IC= INC+ ICBO 所以 IC= ?IE+ ICBO通常 IC ICBO放大状态下BJT中载流子的传输过程第12页/共31页IE=IB+ IC 代入 IC= ?IE+ ICBO又：把整理得：ICEO= (1+ ? ) ICBO（穿透电流） ? 是另一个电流放大系数。同样，它也只与管子的结构尺寸和掺杂浓度有关，与外加电压无关。一般 ? 1 。且令第13页/共31页3. 三极管的三种组态BJT的三种组态(a) 共基极接法，基极作为公共电极，用CB表示；(b) 共发射极接法，发射极作为公共电极，用CE表示；(c) 共集电极接法，集电极作为公共电极，用CC表示。第14页/共31页若?vI = 20mV使?iE = -1 mA，当? = 0.98 时，则?iC = ? ?iE = -0.98 mA，4. 放大作用共基极放大电路?vO = -?iC? RL = 0.98 V，电压放大倍数共基极放大电路只实现电压放大，电流不放大（控制作用）第15页/共31页三极管的放大作用,主要是依靠它的IE能通过基区传输,然后顺利到达集电极而实现的。故要保证此传输,一方面要满足内部条件,即发射区掺杂浓度要远大于基区掺杂浓度,基区要薄;另一方面要满足外部条件,即发射结正偏,集电结要反偏。输入电压的变化,是通过其改变输入电流,再通过输入电流的传输去控制输出电压的变化,所以BJT是一种电流控制器件。两个要点第16页/共31页4.1.3 BJT的V-I 特性曲线输入特性曲线特性曲线是指各电极之间的电压与电流之间的关系曲线输出特性曲线第17页/共31页共射极连接0.7V(硅管）管子正常工作时，－0.2V(锗管）1. 输入特性曲线（以共射极放大电路为例） iB=f(vBE)? vCE=const. (1) 当vCE=0V时，相当于发射结的正向伏安特性曲线。 (2) 当vCE≥1V时， vCB= vCE - vBE0，集电结已进入反偏状态，开始收集电子，基区复合减少，同样的vBE下iB减小，特性曲线右移。第18页/共31页再次注意：管子正常工作时，2. 输出特性曲线iC=f(vCE)? iB=const.输出特性曲线的三个区域:饱和区：vCE很小，iC?? iB，三极管如同工作于短接状态，一般vCE? vBE，此管压降称为饱和压降。此时，发射结正偏，集电结正偏或反偏电压很小。放大区： vBE Vth，vCE反电压大于饱和压降， 此时，发射结正偏，集电结反偏。截止区：iB=0，iC＝ iCEO?0，三极管如同工作于断开状态，此时， vBE小于死区电压。0.7V(硅管）－0.2V(锗管）第19页/共31页 (1) 共射极直流电流放大系数 =（IC－ICE