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- 2023-05-05 发布于四川
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本发明属于等离子体源技术领域，具体涉及一种高效率低污染等离子体源，包括同轴放置的阴极、水冷阳极和磁轭底座，以及设于磁轭底座中心处的内磁钢、套装在内磁钢外的内屏蔽、磁轭底座的外沿上方固定安装的外磁钢和外屏蔽；所述的磁轭底座位于阴极内；所述的水冷阳极与阴极绝缘连接；所述的内磁钢和外磁钢磁力方向相反；所述的阴极、水冷阳极之间连接放电电源A。等离子体源的内、外磁极处于悬浮电位或相对于工件或真空室地分别施加不同偏压的方式，通过设计放电通道，使其电势分布，因此可以降低和控制放电等离子体对壁自溅射，从而达到提
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114302546 A
(43)申请公布日 2022.04.08
(21)申请号 202111489702.7
(22)申请日 2021.12.08
(71)申请人 核工业西南物理研究院
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