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- 2023-05-05 发布于四川
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本发明公开了一种圆形JFET建模方法，包括如下步骤：步骤S1，根据现有的JFET器件模型提取出影响JFET器件效应的相关模型参数；步骤S2，提取出预设的源端宽度的JFET器件SPICE模型的某一种相关模型参数，将该相关模型参数进行分析和拟合，得到该相关模型参数与源端宽度尺寸的数学关系式；步骤S3，将所述数学关系式添加至SPICE子电路模型中，将所有子电路模型整合为模型文件。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114297971 A
(43)申请公布日 2022.04.08
(21)申请号 202111547659.5
(22)申请日 2021.12.16
(71)申请人 上海华虹宏力半导体制造有限公司
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