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三维存储器及其制造方法.pdfVIP

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  • 2023-05-05 发布于四川
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三维存储器及其制造方法.pdf

    本发明提供一种三维存储器及其制造方法，所述三维存储器具有台阶区，所述制造方法包括：提供堆叠结构，所述堆叠结构包括堆叠设置的层间绝缘层，相邻的层间绝缘层之间设置有第一间隙，在所述台阶区，至少部分所述层间绝缘层端部依次延伸形成阶梯台阶，介质层覆盖所述台阶区，且所述介质层与所述阶梯台阶顶面之间具有第二间隙，所述第二间隙的高度大于所述第一间隙的高度；于所述第一间隙及所述第二间隙中填充第一材料，至所述第一间隙被填满为止；于所述第二间隙内填充第二材料，至所述第二间隙被填满为止。本发明三维存储器制造方法能够降

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114300465 A (43)申请公布日 2022.04.08 (21)申请号 202111643264.5 H01L 27/11582 (2017.01) (22)申请日

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