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- 2023-05-05 发布于四川
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本发明公开了一种半导体器件及其制备方法、存储器及存储系统，先在衬底上形成包括交替层叠设置的层间牺牲层和层间绝缘层的堆叠层，再形成贯穿所述堆叠层的多排第一沟道孔。然后通过所述第一沟道孔刻蚀所述层间牺牲层，以形成位于所述第一沟道孔周围的第一空腔。最后在所述第一空腔中填充栅极层。本发明通过第一沟道孔将各个孔周围的层间牺牲层置换为栅极层，工艺难度低且不容易形成气隙。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114300470 A
(43)申请公布日 2022.04.08
(21)申请号 202111645123.7
(22)申请日 2021.12.30
(71)申请人 长江存储科技有限责任公司
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