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本发明提供一种蚀刻方法和等离子体处理装置，能够在含硅膜的等离子体蚀刻中对通过蚀刻形成的凹部的底部的宽度进行调整。一个例示性的实施方式所涉及的蚀刻方法包括以下工序：工序(a)，向基板支承器上提供基板；工序(b)，将基板支承器的温度调整为‑20℃以下；工序(c)，向腔室内供给包含含氮气体的处理气体；以及工序(d)，使用从处理气体生成的等离子体来对含硅膜进行蚀刻。通过对含硅膜进行蚀刻，含有硅和氮的副产物附着于凹部的侧壁。蚀刻方法在工序(b)之前包括工序(e)，在该工序(e)中，设定基板支承器的温度和处
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114334595 A
(43)申请公布日 2022.04.12
(21)申请号 202111108783.1
(22)申请日 2021.09.22
(30)优先权数据
2020-1636
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